| 专利名称 | 相变存储器加热电极的制备方法 | 申请号 | CN200910052407.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101567420 | 公开（授权）日 | 2009.10.28 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 冯高明;宋志棠;刘波;封松林;万旭东;吴关平 | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | 专利有效期 | 相变存储器加热电极的制备方法 至相变存储器加热电极的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种相变存储器加热电极的制备方法，首先利用CVD技术在衬底 上依次沉积SiO2/S3N4/SiO2介质层，接着使用亚微米CMOS标准工艺曝光技术在 顶层SiO2上制备出直径为150～300nm的孔洞。之后，沉积S3N4 100～200nm并刻 蚀，连同一开始沉积的S3N4刻穿，在孔洞中形成出50～150nm厚的S3N4侧墙。最 后，将S3N4侧墙作为硬掩膜把底层SiO2刻蚀完，利用CVD技术填入W、TiN等电 极材料，并进行化学机械抛光停在底层SiO2上，形成直径100nm以下的柱状加 热电极。本发明不仅避免了直接使用100nm以下曝光技术的困难，降低了制造成 本，更重要的是降低了相变存储器的操作电流和功耗。 |
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