| 专利名称 | 表面织构化n型ZnO基透明导电薄膜及其制备方法 | 申请号 | CN200910051996.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101567395 | 公开（授权）日 | 2009.10.28 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 万冬云;黄富强 | 主分类号 | H01L31/0224(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/0236(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I | 专利有效期 | 表面织构化n型ZnO基透明导电薄膜及其制备方法 至表面织构化n型ZnO基透明导电薄膜及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及表面织构化n型ZnO基透明导电薄膜及其制备方法。本发明在n 型ZnO基透明导电薄膜的膜面形成大量排列规则、结构均匀、连通良好且具有 一定深度的微孔结构。这种表面织构化的薄膜具备良好的光捕获性能，且同时 具有高的电导率。这种利用直流磁控连续溅射制备的表面织构化高性能n型ZnO 基透明导电薄膜，其工艺简单，质量易于监控，适于大规模生产；可保持本体膜 良好的柱状晶结构，孔与孔之间连通完好，保持了ZnO基膜的高电导率；织构 表面上的微孔，无论是均匀性还是重复性都是传统使用的上述两种方法无法比 拟的，且孔的深度和直径在一定范围内可控；膜层在可见光区平均透过率达到 90％以上，迁移率最高达35.4cm2/V·S，电阻率达到1.003×10-4Ω·cm，方块电阻 达到0.9Ω/□。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障