| 专利名称 | 一种半导体结构及其制造方法 | 申请号 | CN201110174687.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102856375A | 公开（授权）日 | 2013.01.02 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所;北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 发明（设计）人 | 朱慧珑;尹海洲;骆志炯 | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I | 专利有效期 | 一种半导体结构及其制造方法 至一种半导体结构及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种半导体结构，该结构包括衬底、源区绝缘塞、漏区凹槽、半导体基体、栅极堆叠、侧墙、源区、漏区，其中所述栅极堆叠位于所述半导体基体之上，所述侧墙位于所述栅极堆叠的侧壁上，所述源区、漏区嵌于所述半导体基体中，并分别位于所述栅极堆叠的两侧，所述源区绝缘塞和漏区凹槽嵌于所述衬底之中，分别靠近所述源区和漏区，所述源区绝缘塞和漏区凹槽在所述半导体基体下方至少有一部分相连，所述半导体基体夹嵌于所述源区绝缘塞和漏区凹槽之间。相应地，本发明还提供了一种半导体结构的制造方法。利于提高器件性能，抑制短沟效应，提高器件按比例缩小的能力，并降低成本，简化工艺。 |
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