| 专利名称 | 新型双栅三端Ⅲ族氮化物增强型HEMT器件 | 申请号 | CN201210367273.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102856371A | 公开（授权）日 | 2013.01.02 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 于国浩;蔡勇;张宝顺 | 主分类号 | H01L29/778(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/778(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I | 专利有效期 | 新型双栅三端Ⅲ族氮化物增强型HEMT器件 至新型双栅三端Ⅲ族氮化物增强型HEMT器件 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种新型双栅三端Ⅲ族氮化物增强型HEMT器件，包括源、漏极以及异质结构，源、漏极通过异质结构中的二维电子气形成电连接，其中异质结构包括：设置于源、漏极之间的第一半导体；形成于第一半导体表面的第二半导体，其第二半导体表面设有主栅，主栅位于源、漏极之间靠近源极一侧，并与第二半导体形成金属-半导体接触；介质层，其形成于第二半导体和主栅表面，并设置在源、漏极之间，且介质层表面设有顶栅，顶栅对主栅形成全覆盖，且至少顶栅的一侧边缘部向漏或源极有一定延伸；以及，用于使主、顶栅实现同步信号控制的分压补偿电路。本发明可以对增强型HEMT器件中的“电流崩塌效应”进行有效控制，还可将双栅电极四端器件等同于三端器件应用于电路中。 |
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