| 专利名称 | 随机噪声源 | 申请号 | CN201210301121.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102856367A | 公开（授权）日 | 2013.01.02 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 李文;黄寓洋;殷志珍;张耀辉 | 主分类号 | H01L29/66(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/66(2006.01)I;H01L29/15(2006.01)I | 专利有效期 | 随机噪声源 至随机噪声源 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种随机噪声源，其包括半导体超晶格器件以及封装体。其中，半导体超晶格器件由采用InP衬底上的In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As材料体系、InP衬底上的InAs/In0.53Ga0.47As/AlAs材料体系、或者GaAs衬底上的GaAs/Al0.45Ga0.55As材料体系的超晶格材料结构通过半导体微加工制作而成。封装体与半导体超晶格器件电性连接以实现随机噪声信号的输出。本发明利用半导体超晶格器件的固态自发混沌振荡特性，通过合理选择势阱/势垒层材料增强量子限制效应，抑制热激发漏电，可以实现工作在室温环境的高质量、高带宽随机噪声源，带宽达GHz以上。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障