| 专利名称 | 一种半导体芯片 | 申请号 | CN201110174980.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102856303A | 公开（授权）日 | 2013.01.02 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 李宝霞;万里兮 | 主分类号 | H01L23/64(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L23/64(2006.01)I;H01L23/00(2006.01)I;H01L23/485(2006.01)I | 专利有效期 | 一种半导体芯片 至一种半导体芯片 | 法律状态 | 专利申请权、专利权的转移 | 说明书摘要 | 公开了一种半导体芯片，包括：一半导体衬底以及若干穿透半导体衬底的导电硅通孔；所述半导体衬底上设有平板电容结构。本发明通过提高芯片上电源分配网络超宽带退耦能力，在超宽频带范围增强半导体芯片抑制电源噪声的产生和互扰，以及抵御外来电源噪声干扰的能力，从而提高半导体芯片性能。 |
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