| 专利名称 | 基于微结构硅波导选频的混合硅单模环形腔激光器 | 申请号 | CN201210350017.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102856789A | 公开（授权）日 | 2013.01.02 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 张冶金;王海玲;渠红伟;马绍栋;郑婉华 | 主分类号 | H01S5/10(2006.01)I | IPC主分类号 | H01S5/10(2006.01)I;H01S5/30(2006.01)I;H01S5/22(2006.01)I | 专利有效期 | 基于微结构硅波导选频的混合硅单模环形腔激光器 至基于微结构硅波导选频的混合硅单模环形腔激光器 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 一种基于微结构硅波导选频的混合硅单模环形腔激光器，包括：一硅衬底；一二氧化硅层制作在硅衬底之上；一硅环状波导层制作在二氧化硅层之上；一键合缓冲层制作在硅波导层上；一N型接触层制作在键合缓冲层之上；一N型电极制作在N型接触层之上的中间；一环状量子阱有源区制作在N型电极的环状部分之内，N型接触层之上；一P型环状接触层制作在环状量子阱有源区之上；一P型环状盖层制作在P型环状接触层之上；一环状P型电极制作在环状P型盖层之上。本发明该结构在高密度集成，单纵模工作，高效耦合输出。更重要的是在工艺加工中省去通常的DFB分布反馈光栅制作及III-V族材料二次外延等工艺步骤，降低复杂性。 |
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