| 专利名称 | MOSFET及其制造方法 | 申请号 | CN201110178387.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102856201A | 公开（授权）日 | 2013.01.02 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 朱慧珑;梁擎擎;尹海洲;骆志炯 | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I | 专利有效期 | MOSFET及其制造方法 至MOSFET及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本申请提供了一种MOSFET及其制造方法，该MOSFET包括：半导体衬底；半导体衬底上的第一绝缘埋层；在第一绝缘埋层上的第一半导体层中形成的背栅；第一半导体层上的第二绝缘埋层；在第二绝缘埋层上的第二半导体层中形成的源/漏区；第二半导体层上的栅极；以及源/漏区、栅极和背栅的电连接，其中，背栅仅位于源/漏区中的一个及沟道区下方，而没有位于源/漏区中的另一个下方，所述电连接包括背栅和源/漏区中的所述一个的公共的导电通道。该MOSFET利用非对称的背栅改善了抑制短沟道效应的效果，并且利用公共的导电通道减小了芯片占用面积。 |
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