| 专利名称 | 一种于石墨烯表面制备高k栅介质薄膜的方法 | 申请号 | CN201210385259.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102856185A | 公开（授权）日 | 2013.01.02 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 王浩敏;张有为;沈大伟;杨喜超;谢晓明 | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/283(2006.01)I | 专利有效期 | 一种于石墨烯表面制备高k栅介质薄膜的方法 至一种于石墨烯表面制备高k栅介质薄膜的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种于石墨烯表面制备高k栅介质薄膜的方法，先将石墨烯置于氧化物分子束外延室，并使所述氧化物分子束外延室保持预设的气压及预设的温度；然后向所述氧化物分子束外延室通入金属蒸气束流与氧化剂气流，使其于所述石墨烯表面反应并沉积形成金属氧化物薄膜。本发明通过控制气压及温度，选择合适的金属及氧化剂，可在石墨烯上制备出高k栅介质单层膜或多层膜；薄膜的厚度、组分等可以从原子尺寸精确控制；可以制备出沉积均匀、高质量高k栅介质薄膜；可以作为成核层再通过如原子层沉积法等继续生长获得所需厚度的高质量高k栅介质层。 |
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