| 专利名称 | 一种用于碳化硅的欧姆电极结构及其制造方法 | 申请号 | CN200810104843.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101567383 | 公开（授权）日 | 2009.10.28 | 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 陈小龙;杨慧;彭同华;王文军;王皖燕 | 主分类号 | H01L29/45(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/45(2006.01)I;H01L29/417(2006.01)I;H01L23/482(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 专利有效期 | 一种用于碳化硅的欧姆电极结构及其制造方法 至一种用于碳化硅的欧姆电极结构及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种用于碳化硅的欧姆电极结构，包括在衬底碳化硅(1)上 依次形成的第一层钽(Ta)膜(2)、第二层铂(Pt)膜(3)和第三层钽(Ta) 膜(4)的欧姆电极，其中，第一层钽膜(2)的厚度为20-40nm，第二层铂膜(3) 的厚度为20-60nm，第三层钽膜(4)的厚度为10-30nm。本发明还提供了一种 用于碳化硅的欧姆电极结构的制造方法。本发明的欧姆电极结构在900-1200℃ 之间退火后可获得理想一致、接触电阻低的欧姆接触，减少了形成欧姆接触的 退火过程中带来的接触层中多余的碳原子对电学性能的损害，并提供了改善的 表面形貌，提高了电极稳定性。 |
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