| 专利名称 | 晶体管 | 申请号 | CN201190000072.6 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN202633241U | 公开（授权）日 | 2012.12.26 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 尹海洲;朱慧珑;骆志炯 | 主分类号 | H01L21/425(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/425(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 专利有效期 | 晶体管 至晶体管 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本实用新型提供了一种晶体管。该晶体管（100）包括：半导体衬底（102）；形成在所述半导体衬底上的栅极电介质（104）；形成在所述栅极电介质上的栅极（106）；位于所述栅极电介质下方的沟道区（112）；位于所述半导体衬底中、且分别在所述沟道区两侧的源区（108）和漏区（110），其中至少所述源区和漏区之一包含毗邻所述沟道区、在垂直于所述半导体衬底的表面的方向上排列的一组位错（101），该组位错包含至少两个位错。 |
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