| 专利名称 | 一种半导体结构及其制造方法 | 申请号 | CN201110173892.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102842618A | 公开（授权）日 | 2012.12.26 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 朱慧珑;梁擎擎;骆志炯;尹海洲 | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I | 专利有效期 | 一种半导体结构及其制造方法 至一种半导体结构及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本申请公开了一种半导体结构及其制造方法。该半导体结构包括：SOI衬底和位于所述SOI衬底上的MOSFET；所述SOI衬底自上而下包括SOI层、第一绝缘埋层、半导体埋层、第二绝缘埋层以及半导体衬底，所述半导体埋层中包含背栅区，所述背栅区为所述半导体埋层掺杂了第一极性的杂质后形成的区域；所述MOSFET包括栅堆叠和源/漏区，所述栅堆叠位于所述SOI层上，所述源/漏区位于所述SOI层中且位于所述栅堆叠的两侧；其中，所述背栅区中包括反掺杂区，所述反掺杂区位于所述栅堆叠下方，且包含第二极性的杂质，所述第一极性与第二极性相反。本发明的实施例适用于MOSFET的阈值调节。 |
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