| 专利名称 | 一种应变半导体沟道的形成方法 | 申请号 | CN201110171241.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102842506A | 公开（授权）日 | 2012.12.26 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 尹海洲;骆志炯;朱慧珑 | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I | 专利有效期 | 一种应变半导体沟道的形成方法 至一种应变半导体沟道的形成方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种应变半导体沟道的形成方法。本发明通过在源极/漏极退火之后形成应变沟道，既避免了应变半导体沟道暴露于高温的源极/漏极退火处理，又由于减少了应变半导体沟道所要经历的处理步骤，而避免了半导体层损耗。另外，由于离子注入区的刻蚀速率明显大于未经过离子注入的弛豫层部分的刻蚀速率，故可容易的控制刻蚀深度。 |
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