半导体器件及其制造方法

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专利名称 半导体器件及其制造方法 申请号 CN201110165241.8 专利类型 发明专利 公开(公告)号 CN102842614A 公开(授权)日 2012.12.26 申请(专利权)人 中国科学院微电子研究所 发明(设计)人 王桂磊;李春龙;赵超;李俊峰 主分类号 H01L29/78(2006.01)I IPC主分类号 H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I 专利有效期 半导体器件及其制造方法 至半导体器件及其制造方法 法律状态 实质审查的生效 说明书摘要 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法,包括:在衬底上形成有绝缘隔离层;在所述绝缘隔离层中形成有绝缘隔离层沟槽;在所述绝缘隔离层沟槽中形成有有源区层;在所述有源区层中和其上形成半导体器件结构;其特征在于,所述有源区层的载流子迁移率高于所述衬底的载流子迁移率。依照本发明的半导体器件及其制造方法,使用了不同于衬底材料的有源区,提高了沟道区载流子迁移率,从而大幅提高了器件的响应速度,增强了器件的性能。此外,不同于已有的STI制造工序,本发明先形成STI后填充形成有源区,避免了STI中出现孔洞的问题,提高了器件的可靠性。

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