| 专利名称 | 磁控溅射设备 | 申请号 | CN201220261265.3 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN202626280U | 公开（授权）日 | 2012.12.26 | 申请（专利权）人 | 中国科学院深圳先进技术研究院;香港中文大学 | 发明（设计）人 | 贺凡;肖旭东 | 主分类号 | C23C14/35(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C14/35(2006.01)I | 专利有效期 | 磁控溅射设备 至磁控溅射设备 | 法律状态 | 说明书摘要 | 一种磁控溅射设备，包括壳体、靶材、炉盘及多个挡板；所述壳体开设有反应腔；所述靶材收容于反应腔内并固定于所述壳体的内壁上；所述炉盘收容于反应腔内，所述炉盘固定于所述壳体的内壁并与所述靶材相对；所述多个挡板设置于所述壳体的内壁上，分布于所述炉盘的周围。上述磁控溅射设备中，其反应腔内壁上设有挡板。挡板用来阻挡射向反应腔内壁的溅射粒子，并对溅射粒子进行沉积，防止其形成碎渣并掉落，影响反应腔内制备的薄膜的质量。 |
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