| 专利名称 | 一种制备镂空的聚酰亚胺蒸发掩模漏版的方法 | 申请号 | CN200810104760.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101566799 | 公开（授权）日 | 2009.10.28 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 甄丽娟;商立伟;刘明;刘兴华;涂德钰;刘舸 | 主分类号 | G03F7/12(2006.01)I | IPC主分类号 | G03F7/12(2006.01)I;G03F7/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种制备镂空的聚酰亚胺蒸发掩模漏版的方法 至一种制备镂空的聚酰亚胺蒸发掩模漏版的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明是一种用于半导体器件制造的蒸发掩模漏版的制备方法。其工 艺步骤如下：1.在双面抛光的硅片衬底上形成聚酰亚胺薄膜层；2.在聚 酰亚胺薄膜层上形成光刻胶图形；3.在聚酰亚胺和光刻胶图形层上蒸发 金属层；4.剥离形成金属阻挡层；5.在卡具保护下从背面对硅衬底进行 腐蚀形成镂空的聚酰亚胺自支撑膜；6.在金属阻挡层的掩蔽下从正面进 行反应离子刻蚀形成聚酰亚胺掩模图形；7.去除金属阻挡层，完成聚酰 亚胺掩模漏版的制作。利用聚酰亚胺材料制作漏版，工艺难度小，图形尺 寸精度高，制造成本低，适合于有机半导体器件制备领域的大面积图形化 过程。 |
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