| 专利名称 | 硅基纳米阵列图形化衬底及硅基外延层的制备方法 | 申请号 | CN201210376802.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102842495A | 公开（授权）日 | 2012.12.26 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 张苗;母志强;薛忠营;陈达;狄增峰;王曦 | 主分类号 | H01L21/306(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/306(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I | 专利有效期 | 硅基纳米阵列图形化衬底及硅基外延层的制备方法 至硅基纳米阵列图形化衬底及硅基外延层的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种硅基纳米阵列图形化衬底及硅基外延层的制备方法，该方法利用化学催化腐蚀法制备出硅基纳米阵列图形化衬底，然后在所述硅基纳米阵列图形化衬底上外延Ge或III-V族化合物，从而可以得到低缺陷密度、高晶体质量的Ge或III-V族化合物外延层。此外，本发明的制备工艺简单，成本低，有利于推广使用。 |
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