热光型红外探测器及其制作方法

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专利名称 热光型红外探测器及其制作方法 申请号 CN200910049388.3 专利类型 发明专利 公开(公告)号 CN101566502 公开(授权)日 2009.10.28 申请(专利权)人 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 发明(设计)人 冯飞;闫许;熊斌;王跃林 主分类号 G01J5/00(2006.01)I IPC主分类号 G01J5/00(2006.01)I;B81B7/02(2006.01)I;B81C5/00(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I;B81C3/00(2006.01)I 专利有效期 热光型红外探测器及其制作方法 至热光型红外探测器及其制作方法 法律状态 实质审查的生效 说明书摘要 本发明涉及一种热光型红外探测器及制作方法,其特征在于所述的红外 探测器由硅衬底,制作于硅衬底之上的像素阵列,以及和硅衬底相键合的玻 璃构成,或者由硅衬底,制作于硅衬底之上的像素阵列,与硅衬底相键合的 玻璃以及和硅衬底相粘接的红外滤光片构成。在所述的TO-IRD中,采用特 殊的隔热柱结构和工艺设计,制作出具有较高高度、站立于硅衬底上的隔热 柱,提高TO-IRD的隔热性能;在像素膜系结构中,通过设计和制作专门的 红外吸收层,提高TO-IRD对红外辐射的吸收率,且不影响它对读出光的调 制功能;采用硅玻璃键合或在真空中粘接红外滤光片,实现器件的真空封装。

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