| 专利名称 | 基于共蒸法制备硅纳米晶超晶格结构的方法 | 申请号 | CN200810104757.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101565855 | 公开（授权）日 | 2009.10.28 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 贾锐;李维龙;陈晨;刘明;陈宝钦;谢常青 | 主分类号 | C30B29/68(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B29/68(2006.01)I;C30B23/00(2006.01)I | 专利有效期 | 基于共蒸法制备硅纳米晶超晶格结构的方法 至基于共蒸法制备硅纳米晶超晶格结构的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明是一种基于共蒸法制备硅纳米晶超晶格结构的方法。本发明的 主要特征是利用电子束蒸发设备在硅衬底上制备叠层硅量子点的方法。其 主要步骤包括：在硅衬底上热氧化生长一层绝缘层二氧化硅；用电子束蒸 发的方法将硅固体颗粒和二氧化铪固体颗粒混合物蒸发至绝缘层上；高温 热退火。采用这种方法制备的量子点颗粒的大小约为3-6nm，可用于单电 子器件或单电子存储器的制作，特别是用于太阳能电池的制作等。这种方 法具有工艺步骤少、简单、稳定可靠、易于大规模制造、能与传统的微电 子工艺兼容的优点。 |
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