| 专利名称 | CMOS图像传感器全局曝光像素单元 | 申请号 | CN201210014829.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102447848A | 公开（授权）日 | 2012.05.09 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 周杨帆;吴南健;曹中祥;李全良;秦琦 | 主分类号 | H04N5/359(2011.01)I | IPC主分类号 | H04N5/359(2011.01)I;H04N5/378(2011.01)I | 专利有效期 | CMOS图像传感器全局曝光像素单元 至CMOS图像传感器全局曝光像素单元 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种CMOS图像传感器全局曝光像素单元，包括依次连接的光电二极管、信号读出电路、信号放大电路、信号采样保持电路和信号输出电路，光电二极管用于采集入射光线的原始信息，将采集的目标图像光信号转换成电信号；信号读出电路用于读出光电转换完成后光电二极管中的电信号，并将其保存在节点FD，节点FD的信号被所述信号放大电路放大；信号放大电路含有一个运算放大器，用于对节点FD所存储的信号进行放大，放大后的信号输出给信号采样保持电路；信号采样保持电路用于对信号放大电路的输出信号进行采样保持；信号输出电路用于采样信号采样保持电路中采样保持的信号并输出。利用本发明，解决了CMOS图像传感器中现有全局曝光像素噪声大的问题。 |
1、源头对接，价格透明
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