| 专利名称 | 半导体结构的制造方法 | 申请号 | CN201010501712.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102446761A | 公开（授权）日 | 2012.05.09 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 朱慧珑 | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/31(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体结构的制造方法 至半导体结构的制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种半导体结构的制造方法，包括：提供p型场效应晶体管，所述晶体管在衬底上包括栅极；在所述晶体管上形成拉应力层；对所述拉应力层进行图案化，从而在晶体管沟道内产生压应力；以及进行退火，以记忆晶体管沟道内的压应力和达到增强晶体管性能的目的。本发明的方法利用应力记忆技术来记忆晶体管沟道内的压应力，从而改进空穴的迁移率，提高半导体结构的整体性能。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障