| 专利名称 | 一种改善SOI电路ESD防护网络用的电阻结构 | 申请号 | CN200810104231.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101562188 | 公开（授权）日 | 2009.10.21 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 曾传滨;李晶;海潮和;李多力;韩郑生 | 主分类号 | H01L27/12(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L27/12(2006.01)I;H01L23/60(2006.01)I | 专利有效期 | 一种改善SOI电路ESD防护网络用的电阻结构 至一种改善SOI电路ESD防护网络用的电阻结构 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种改善SOI电路ESD防护 网络用的电阻结构。该结构通过利用硅化物的导体特性，克服了半导 体载流子导电电阻结构在高温时由于本征电离效应出现的电阻负温度 特性问题，使得电阻在很大范围的ESD过程中不仅不会出现阻值变小 降低电阻抬升电位能力的问题，反而会变大，提高了电阻抬升电位的 能力。除此之外，此电阻还具有ESD后稳定的阻值特性，克服了半导 体载流子导电电阻在ESD过程中出现的杂质回火效应问题，进一步减 小了对电路电学特性的影响。利用本发明，一方面可以获得更稳定的 ESD防护能力，另一方面在获得更稳定的ESD防护能力的同时可以降 低ESD防护用电阻对电路电学特性的影响。 |
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