| 专利名称 | 一种绝缘体上硅电路ESD全局保护结构 | 申请号 | CN200810104230.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101562187 | 公开（授权）日 | 2009.10.21 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 曾传滨;海潮和;李晶;李多力;韩郑生 | 主分类号 | H01L27/12(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L27/12(2006.01)I;H01L23/60(2006.01)I;H02H9/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种绝缘体上硅电路ESD全局保护结构 至一种绝缘体上硅电路ESD全局保护结构 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种SOI电路ESD全局保护 结构，包括：一种初级ESD保护结构和一种次级ESD保护结构保护输 入端；一种智能电阻ESD保护结构和一种RC电路控制的输出泻流管 结构加一种输出ESD保护结构保护输出端/双向端；一种RC电路控制 的环线泻流管保护结构与串联的智能电阻结构放置在电源线环线与地 线环线之间，与并联的二极管结构一起用于保护电源端与地端，并协 助输入端、输出端/双向端泻放ESD电流。利用本发明，解决了SOI 芯片输出端/双向端泻放ESD电流能力差的问题和单个环线泻流管泻 放ESD电流能力有限的问题，使SOI集成电路ESD防护能力获得了 全面的提升。 |
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