| 专利名称 | HBT工艺中介质平面平坦化的方法 | 申请号 | CN200810104228.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101562136 | 公开（授权）日 | 2009.10.21 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 金智;刘新宇 | 主分类号 | H01L21/331(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/331(2006.01)I | 专利有效期 | HBT工艺中介质平面平坦化的方法 至HBT工艺中介质平面平坦化的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明一种异质结双极性晶体管(HBT)工艺中介质平面平坦化 的方法，包括：A.在已进行发射极金属蒸发、发射极腐蚀、基极金属 蒸发、基极和集电极腐蚀、隔离腐蚀，以及基极和集电极接线柱制作 的基础上，旋涂介质层；B.在高温下进行介质固化；C.将基片放在 等离子体下，用干法刻蚀介质，直到露出发射极金属顶面和接线柱；D. 在介质表面旋涂光刻胶；E.光刻、显影，形成布线图形；F.蒸发布 线金属；G.进行布线金属的剥离。利用本发明，能有效提高器件的成 品率，避免微空气桥制作中的不稳定性，对提高器件性能的一致性有 很大的作用。 |
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