| 专利名称 | 一种用于监控介质平坦化过程的方法 | 申请号 | CN200810104224.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101562135 | 公开（授权）日 | 2009.10.21 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 金智;刘新宇 | 主分类号 | H01L21/331(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/331(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I | 专利有效期 | 一种用于监控介质平坦化过程的方法 至一种用于监控介质平坦化过程的方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种用于监控介质平坦化过程的方法，包括：A.在 制作异质结双极性晶体管HBT的过程中，制作特定的监控图形；B. 在有监控图形且已进行介质平坦化的基片上，旋涂光刻胶、光刻、显 影，在监控图形上制作特定形状的图形；C.利用氧气或含有氧气的等 离子体刻蚀基片一定时间；D.在光学显微镜下观察监控图形；E.重 复步骤C和D直到露出发射极金属、基极和集电极接线柱。本发明制 作监控图形与器件的工艺同步进行，不需要额外的工艺过程，降低了 监控难度，提高了监控精度；同时本发明也避免了使用复杂设备的开 销，有效节约成本，可以准确监控平坦化过程，使工艺稳定，避免过 刻蚀或欠刻蚀造成的工艺不稳定。 |
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