| 专利名称 | 利用S18系列正性光刻胶制作倒梯形剖面结构的方法 | 申请号 | CN200810104223.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101562129 | 公开（授权）日 | 2009.10.21 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 金智 | 主分类号 | H01L21/027(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/027(2006.01)I;G03F7/00(2006.01)I | 专利有效期 | 利用S18系列正性光刻胶制作倒梯形剖面结构的方法 至利用S18系列正性光刻胶制作倒梯形剖面结构的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种利用S18系列正性光刻胶制作倒梯形剖面结构 的方法，该方法包括：A.在基片上涂布S18系列的光刻胶；B.将带 有光刻胶的基片在显影液中浸泡；C.在低温下烘烤；D.曝光；E. 在较高温度下烘烤；F.显影。本发明提供了一种工艺简单，无毒、无 害溶液处理的利用S18系列光刻胶制作倒梯形剖面结构的方法，提高 了光刻的精度和倒梯形侧沿的可控性。 |
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