| 专利名称 | 含双栅增强型HEMT器件的集成系统 | 申请号 | CN201210367567.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102857202A | 公开（授权）日 | 2013.01.02 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 于国浩;蔡勇;张宝顺 | 主分类号 | H03K17/56(2006.01)I | IPC主分类号 | H03K17/56(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L29/778(2006.01)I | 专利有效期 | 含双栅增强型HEMT器件的集成系统 至含双栅增强型HEMT器件的集成系统 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 一种含双栅增强型HEMT器件的集成系统，包括基座以及安装在基座上的双栅四端III族氮化物增强型HEMT器件，该器件包括异质结构以及通过异质结构中的二维电子气形成电连接的源、漏极，该异质结构包括：设置于源、漏极之间的第一半导体，形成于第一半导体表面的第二半导体，设于第二半导体表面的主栅，形成于第二半导体和主栅表面的介质层，设于介质层表面的顶栅；以及，用于使主、顶栅实现同步信号控制的分压补偿电路等，前述电路包括串联和/或并联设置在分别与源极和主、顶栅电连接的各基座接出端之间的分立电容和/或分立电阻。本发明可以对增强型HEMT器件中的“电流崩塌效应”进行有效控制，并可以将双栅电极四端器件等同于三端器件应用于集成系统中。? |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障