| 专利名称 | 一种CMOS集成电路抗辐照加固电路 | 申请号 | CN200910244519.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102118152A | 公开（授权）日 | 2011.07.06 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 毕津顺;海潮和;韩郑生;罗家俊 | 主分类号 | H03K19/007(2006.01)I | IPC主分类号 | H03K19/007(2006.01)I;H01L27/092(2006.01)I | 专利有效期 | 一种CMOS集成电路抗辐照加固电路 至一种CMOS集成电路抗辐照加固电路 | 法律状态 | 专利申请权、专利权的转移 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种CMOS集成电路抗辐照加固电路，该电路包括一个容易发生单粒子翻转的逻辑门电路(100)和一个冗余逻辑门电路(101)，逻辑门电路(100)和冗余逻辑门电路(101)共用一个输入端，逻辑门电路(100)的输出端与冗余逻辑门电路(101)的输出端之间连接有两个并联连接的场效应晶体管，一个为n型沟道场效应晶体管(102)，一个为p型沟道场效应晶体管(103)。利用本发明，对CMOS集成电路中敏感的逻辑门电路进行抗辐照加固，在集成电路面积和速度之间折中，明显提高了CMOS集成电路抗单粒子翻转的水平。 |
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