| 专利名称 | 制作具有多电极超低电感的多槽PN结电容器的方法 | 申请号 | CN200910244525.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102117768A | 公开（授权）日 | 2011.07.06 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 万里兮;吕壵;王惠娟 | 主分类号 | H01L21/78(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/78(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 专利有效期 | 制作具有多电极超低电感的多槽PN结电容器的方法 至制作具有多电极超低电感的多槽PN结电容器的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种制作具有多电极超低电感的多槽PN结电容器的方法，通过一系列理论的论证和假设，将原来半导体PN结电容器加以改进，使改进后的电容具有结构简单，电容密度大，寄生参数小，制作工艺简单等特点，特别是可实现串联电感大大降低，这样可使电容工作在更高的频率内。该电容可广泛用于高频高速功率电子系统中的退耦，滤波，匹配，静电和电涌防护等功能。 |
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