| 专利名称 | 具有改善的载流子迁移率的场效应晶体管器件及制造方法 | 申请号 | CN200910244632.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102117808A | 公开（授权）日 | 2011.07.06 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 朱慧珑;骆志炯;尹海洲 | 主分类号 | H01L27/092(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L27/092(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/49(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 专利有效期 | 具有改善的载流子迁移率的场效应晶体管器件及制造方法 至具有改善的载流子迁移率的场效应晶体管器件及制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 所述器件通过栅替代和侧墙替代工艺制成。通过分别在NMOS的栅堆叠中间的间隙中形成具有压应力性质的第一应力层和在PMOS的栅堆叠中间的间隙中形成具有拉应力性质的第二应力层；并且在形成所述应力层后，移除PMOS和NMOS器件的栅堆叠的侧墙以便释放所述应力到沟道区，进而提升NMOS器件沟道区的拉应力和PMOS器件沟道区的压应力。特别地，可以在NMOS器件和PMOS器件的所述栅堆叠侧壁以及部分源极区和漏极区的上方形成具有相反应力性质的应力侧墙，以便进一步提高NMOS器件的拉应力和PMOS器件的压应力。 |
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