| 专利名称 | 基于纳米晶浮栅结构的多值非挥发性存储器的存储方法 | 申请号 | CN200910312948.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102117656A | 公开（授权）日 | 2011.07.06 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 王琴;杨潇楠;刘明;王永 | 主分类号 | G11C16/04(2006.01)I | IPC主分类号 | G11C16/04(2006.01)I;G11C16/10(2006.01)I | 专利有效期 | 基于纳米晶浮栅结构的多值非挥发性存储器的存储方法 至基于纳米晶浮栅结构的多值非挥发性存储器的存储方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及基于纳米晶浮栅结构的多值非挥发性存储器的存储方法，属于存储器技术领域。所述存储方法采用热电子注入为编程方式，以FN隧穿为擦除方式，以读电流大小来区分00、01、10、11四种存储状态，从而可以在同样的面积下实现多值存储，使存储量增大两倍。本发明采用新的编程方式，在源漏两端同时编程操作，并形成多值存储，这大大地提高了编程效率，同时增大了存储窗口，实现更多点子的存储，并在同样大小的存储单元上实现了两倍于之前的存储量；另外，在实现此优点的同时并未改变制造工艺，大大降低了成本。 |
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