| 专利名称 | 半导体器件及其形成方法 | 申请号 | CN201010512128.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102446969A | 公开（授权）日 | 2012.05.09 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 赵超;钟汇才;王文武 | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/51(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体器件及其形成方法 至半导体器件及其形成方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种半导体器件，包括栅介质层，形成于半导体基底上；栅极，形成于所述栅介质层上；其中所述栅介质层包括含铪稀土氧化物或/和含锆稀土氧化物，且所述栅介质层为立方晶系的单晶，所述栅介质层沿所述半导体基底的晶格方向外延生长。还提供一种半导体器件的形成方法，将半导体基底置于反应腔中；向所述反应腔中通入含铪或/和含锆反应物、以及稀土反应物，以在所述半导体基底上外延形成单晶的栅介质层，且所述栅介质层为立方晶系，其晶格生长方向与所述半导体基底的晶格方向一致；在所述栅介质层上形成栅极。本发明的半导体器件及其形成方法可提高沟道内的载流子迁移率。 |
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