| 专利名称 | 一种掺杂稀土离子的钨酸铅大单晶的制备方法 | 申请号 | CN201110397518.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102443853A | 公开（授权）日 | 2012.05.09 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 熊巍;袁晖;周尧;陈良 | 主分类号 | C30B29/32(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B29/32(2006.01)I;C30B11/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种掺杂稀土离子的钨酸铅大单晶的制备方法 至一种掺杂稀土离子的钨酸铅大单晶的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种掺杂稀土离子的钨酸铅大单晶的制备方法，是采用坩埚下降法工艺，其特征在于：所述的籽晶是径向尺寸为10～25mm的圆形或方形的钨酸铅晶体；所述的坩埚包括呈圆锥状籽晶端，籽晶端的放肩角为30～45度；晶体生长时，需控制放肩阶段最大下降速率为0.4～0.8mm/h，晶体生长阶段最大下降速率为0.8～1.2mm/h。本发明用坩埚下降法工艺，实现了采用较小直径的籽晶生长得到直径达50mm的掺杂稀土离子的PWO大单晶，且制得的大单晶在机械加工中不易开裂，可满足发光材料的应用要求；而且，本发明的制备工艺简单，生长后的晶体无需复杂的退火后处理，即可满足机械加工要求，具有工业化应用价值。 |
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