| 专利名称 | 一种大孔径薄壁阳极氧化铝薄膜及其制备方法 | 申请号 | CN200910083566.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101555615 | 公开（授权）日 | 2009.10.14 | 申请（专利权）人 | 中国科学院电工研究所 | 发明（设计）人 | 刘敏;赵雷;王文静 | 主分类号 | C25D11/04(2006.01)I | IPC主分类号 | C25D11/04(2006.01)I;C25D11/16(2006.01)I;C25D11/08(2006.01)I | 专利有效期 | 一种大孔径薄壁阳极氧化铝薄膜及其制备方法 至一种大孔径薄壁阳极氧化铝薄膜及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种大孔径薄壁阳极氧化铝薄膜，其特征是孔径为200纳米到300纳米，孔壁厚度为5 到20纳米；制备本发明薄膜的方法为：依次采用丙酮、乙醇和高纯水超声清洗铝片10分钟， 去除表面的油脂和脏污；将经过清洗的铝片置于质量百分数为5％的氢氧化钠溶液中反应30 分钟，去除铝片表面的氧化层。然后把步骤(1)制得的铝片放入质量百分数为1％-10％的磷 酸溶液中，在40-160V的电压下阳极氧化1分钟到1小时，然后将电压降低至10-120V范 围，继续阳极氧化10分钟到10个小时，至此大孔径薄壁阳极氧化铝薄膜制备完毕。 |
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