| 专利名称 | 聚(3,4-乙撑二氧噻吩)包覆及其为碳源的纳米硅复合锂离子电池负极材料及其制备方法 | 申请号 | CN201110199707.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102299306A | 公开（授权）日 | 2011.12.28 | 申请（专利权）人 | 中国科学院广州能源研究所 | 发明（设计）人 | 张灵志;岳鹿;王素清;赵欣悦 | 主分类号 | H01M4/38(2006.01)I | IPC主分类号 | H01M4/38(2006.01)I | 专利有效期 | 聚(3,4-乙撑二氧噻吩)包覆及其为碳源的纳米硅复合锂离子电池负极材料及其制备方法 至聚(3,4-乙撑二氧噻吩)包覆及其为碳源的纳米硅复合锂离子电池负极材料及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明利用导电聚合物PEDOT及其水溶液分散剂PSS作为纳米Si粉的包覆层以及碳源，提供一种性能优异的锂离子电池负极新硅复合材料及其制备方法。所述Si/C复合材料由含Si类储锂材料作为主要活性物质，先通过原位聚合反应在Si的表面聚合PEDOT:PSS，然后把制备的Si/PEDOT:PSS复合物在惰性气氛下经由高温碳化处理，制得Si/C复合材料。本发明制备的复合材料有少量S元素掺杂。经过电镜分析，纳米Si颗粒被均匀的镶嵌在PEDOT:PSS聚合物和碳基体中。本发明制备原料便宜，纳米Si在导电聚合物中的包覆在水溶液中进行，工艺简单环保，收率高。制备的Si/C复合材料具有极低的初始不可逆容量损失(2.8％)，材料的充放电性能优异，便于工业化生产，在电动汽车等动力电源上有潜在的应用前景。 |
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