| 专利名称 | 一种晶体硅太阳能电池金属电极的制备方法 | 申请号 | CN201110241686.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102299200A | 公开（授权）日 | 2011.12.28 | 申请（专利权）人 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 发明（设计）人 | 万青;竺立强 | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | 一种晶体硅太阳能电池金属电极的制备方法 至一种晶体硅太阳能电池金属电极的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种晶体硅太阳能电池金属电极的制备方法，该方法在p型晶体硅衬底上扩散制备PN结后，在n型发射极表面制备氮化硅减反射层，然后通过真空溅射、蒸镀技术或者丝网印刷技术在p型导电背表面上制备厚度为100nm～1000nm的Al薄层，并在氮化硅减反射层表面丝网印刷厚度为1μm～5μm的Ag栅线薄层，接着采用传统高温烧结技术形成Al背场种子层及Ag栅线种子层，最后通过电镀工艺，在Ag栅线种子层和Al背场种子层上电镀锡、铜或镍，加厚形成金属电极。与现有技术相比，本发明结合了丝网印刷、磁控溅射、蒸镀和电镀工艺的优点，能够获得高导电性、低遮光率的前金属栅线电极，同时能够有效地降低昂贵金属Ag的用量，因此具有重要的产业化应用前景。 |
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