| 专利名称 | 一种SOI体电阻建模方法 | 申请号 | CN201010217274.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102298655A | 公开（授权）日 | 2011.12.28 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 卜建辉;毕津顺;韩郑生 | 主分类号 | G06F17/50(2006.01)I | IPC主分类号 | G06F17/50(2006.01)I | 专利有效期 | 一种SOI体电阻建模方法 至一种SOI体电阻建模方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种SOI体电阻建模方法，该方法包括：步骤1：计算中性体区横截面面积；步骤2：根据中性体区横截面面积建立SOI体电阻初步模型；步骤3：对SOI体电阻初步模型进行优化，形成最终的SOI体电阻模型。利用本发明，实现了对体电阻的精确计算，体现了电压偏置对体电阻的影响，使得器件的模拟更加准确，从而确保电路的模拟结果更加可靠。 |
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