| 专利名称 | 一种接触的制造方法以及具有该接触的半导体器件 | 申请号 | CN201010215164.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102299177A | 公开（授权）日 | 2011.12.28 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 钟汇才;梁擎擎 | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L23/528(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 专利有效期 | 一种接触的制造方法以及具有该接触的半导体器件 至一种接触的制造方法以及具有该接触的半导体器件 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种接触制造方法及具有该接触的半导体器件，本发明是先形成尺寸较大的沟槽接触，而后在沟槽接触内形成一个或多个介质层，而后去除介质层的上部并填充导电材料，采用这样的方法，首先容易形成尺寸较大的沟槽接触，该结构易于制作，而且由于在沟槽接触内形成了介质层，从而减小源漏沟槽接触了与栅电极间的电容。 |
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