| 专利名称 | 半导体结构及其制造方法 | 申请号 | CN201010215093.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102299133A | 公开（授权）日 | 2011.12.28 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 朱慧珑 | 主分类号 | H01L23/522(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L23/522(2006.01)I;H01L23/485(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体结构及其制造方法 至半导体结构及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本申请公开了一种半导体结构及其制造方法。该半导体结构包括：半导体衬底，包括相对的第一表面和第二表面；以及硅通孔，贯穿所述半导体衬底形成；其中，所述硅通孔包括：第一通孔，穿过所述第一表面形成；以及第二通孔，穿过所述第二表面形成且与所述第一通孔电连接；所述第一通孔和第二通孔是分别形成的。本发明的实施例适用于3D集成电路的制造。 |
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