| 专利名称 | 一种半导体器件及其制造方法 | 申请号 | CN201010215124.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102299053A | 公开（授权）日 | 2011.12.28 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 梁擎擎;钟汇才;朱慧珑 | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L23/373(2006.01)I | 专利有效期 | 一种半导体器件及其制造方法 至一种半导体器件及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，通过去除牺牲衬底或SOI衬底中的底层硅并形成碳纳米管的替代衬底，并在碳纳米管的衬底结构上的半导体层上形成器件结构，由于在沿着碳纳米管的空管方向，其具有很好的散热性能，从而减小器件的自加热效应，进而提高了器件的整体性能。 |
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