| 专利名称 | 半导体结构及其制造方法 | 申请号 | CN201010527488.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102456737A | 公开（授权）日 | 2012.05.16 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 朱慧珑;梁擎擎;尹海洲;骆志炯 | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L23/52(2006.01)I;H01L29/41(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体结构及其制造方法 至半导体结构及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种半导体结构及其制造方法。本发明的半导体结构采用共用接触来调节阈值电压，即接触位于源区或漏区外侧的部分延伸至背栅区，并形成源区或漏区与背栅区的电学接触，简化了制作工艺程序，能够提高集成度、降低生产成本。此外，非对称背栅结构设计能够进一步提高阈值电压调节效果，改善器件性能。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
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