| 专利名称 | 应力隔离沟槽半导体器件的形成方法 | 申请号 | CN201010527260.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102456577A | 公开（授权）日 | 2012.05.16 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 尹海洲;骆志炯;朱慧珑 | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 专利有效期 | 应力隔离沟槽半导体器件的形成方法 至应力隔离沟槽半导体器件的形成方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种应力隔离沟槽半导体器件的形成方法，包括：提供硅基底；在所述硅基底上形成至少两条相平行的第一沟槽，在所述第一沟槽中形成第一介质层，所述第一介质层为张应力介质层；在所述硅基底上形成至少两条相平行的第二沟槽，所述第二沟槽的延伸方向与所述第一沟槽的延伸方向垂直，在所述第二沟槽中形成第二介质层；在形成所述第一沟槽之后，在相邻的第一沟槽之间的硅基底中形成栅堆叠，所述栅堆叠下方的沟道长度的方向平行于所述第一沟槽的延伸方向，其中，所述硅基底的晶面指数为(100)，所述第一沟槽的延伸方向沿晶向(110)。本发明在MOS晶体管的沟道宽度方向提供张应力，从而改善了PMOS晶体管和/或NMOS晶体管的性能。 |
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