| 专利名称 | 层间介质层、具有该介质层的半导体器件及制造方法 | 申请号 | CN201010215116.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102299095A | 公开（授权）日 | 2011.12.28 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 钟汇才;梁擎擎 | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L23/528(2006.01)I;H01L23/532(2006.01)I | 专利有效期 | 层间介质层、具有该介质层的半导体器件及制造方法 至层间介质层、具有该介质层的半导体器件及制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了用于半导体器件的层间介质层及其制造方法以及具有该层间介质层的半导体器件，所述方法在介质层内形成不互相连通的孔洞，所述孔洞内可填充具有更低介电常数的多孔低k介质材料，或者仅封住孔洞的上部以在介质层内形成孔。这种结构的层间介质层，具有更低的介电常数，减小了器件的RC延迟，也更便于工艺集成，而且由于介质层内的孔洞并未相互连接，不会造成介质材料介电常数的改变以及导线间的短路，使器件具有更好的稳定性和可靠性，从而提高了器件的性能。 |
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