| 专利名称 | 基于多模干涉结构的高功率单纵横模半导体激光器 | 申请号 | CN201110242658.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102457018A | 公开（授权）日 | 2012.05.16 | 申请（专利权）人 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 发明（设计）人 | 苏辉 | 主分类号 | H01S5/20(2006.01)I | IPC主分类号 | H01S5/20(2006.01)I | 专利有效期 | 基于多模干涉结构的高功率单纵横模半导体激光器 至基于多模干涉结构的高功率单纵横模半导体激光器 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种基于多模干涉结构的高功率单纵横模半导体激光器，在MMI的一侧或两侧制备高反射面可以缩小MMI在输入输出方向上的尺寸，即不需要是自成像距离的整数倍，而可以是自成像距离整数倍的1/n（n为整数）。发明另一方面涉及利用新型的MMI结构制备具有单纵横模输出的高功率激光器；其波导层包括单模和多模波导层。多模波导层中含有有源多模干涉区域（AMMI），即多模有源层。并在输出激光的单模波导层中制备有光栅，可以防止在AMMI发生跳模现象以及线宽因子的增加，因此可以实现单纵横模的稳定输出。 |
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