| 专利名称 | 半导体结构及其制作方法 | 申请号 | CN201010527273.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102456734A | 公开（授权）日 | 2012.05.16 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 王鹤飞;骆志炯;刘佳 | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体结构及其制作方法 至半导体结构及其制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本申请公开了一种半导体结构及其制作方法。其中所述半导体结构包括：半导体衬底以及位于半导体衬底上的鳍片，其中仅在所述鳍片顶部及半导体衬底表面形成有氮氧化层。本发明的实施例中，鳍片两侧可以直接形成栅介质层，提高了晶体管的电性能。 |
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