| 专利名称 | 半导体器件及其制造方法 | 申请号 | CN201010527470.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102456735A | 公开（授权）日 | 2012.05.16 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 朱慧珑;尹海洲;骆志炯 | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体器件及其制造方法 至半导体器件及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提出了一种半导体器件，包括：衬底，包括用于对位于栅长方向上的不同器件进行隔离的沟槽；栅极部分，位于所述衬底上；源极部分和漏极部分，分别位于栅极部分相对两侧的衬底内；衬里，位于所述沟槽的内壁上；应变相变材料部分，位于所述沟槽中；其中应变相变材料部分对衬底施加拉应力或压应力，以使衬底产生拉应变或压应变。本发明还提出了一种用于制造上述半导体器件的工艺方法。在本发明中，在浅沟槽隔离区中形成相变材料。通过相变材料在发生相变时所产生的体积或密度改变，能够产生较大的形变应力，从而增强半导体器件的性能。 |
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