| 专利名称 | 应力隔离沟槽半导体器件及其形成方法 | 申请号 | CN201010527238.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102456576A | 公开（授权）日 | 2012.05.16 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 尹海洲;骆志炯;朱慧珑 | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 专利有效期 | 应力隔离沟槽半导体器件及其形成方法 至应力隔离沟槽半导体器件及其形成方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种应力隔离沟槽半导体器件及其形成方法，所述形成方法包括：提供硅基底；在所述硅基底上形成第一沟槽和第二沟槽，所述第二沟槽的延伸方向与所述第一沟槽的延伸方向垂直；在所述第一沟槽中形成第一介质层，所述第一介质层为张应力介质层；在所述第二沟槽中形成第二介质层；在所述第一沟槽和第二沟槽包围的硅基底上形成栅堆叠，所述栅堆叠下方的沟道长度的方向平行于所述第一沟槽的延伸方向，其中，所述硅基底的晶面指数为(100)，所述第一沟槽的延伸方向沿晶向(110)。本发明提高了器件的响应速度，改善了器件性能。 |
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