| 专利名称 | 非挥发性半导体存储单元、器件及制备方法 | 申请号 | CN201010527589.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102456746A | 公开（授权）日 | 2012.05.16 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 霍宗亮;刘明;张满红 | 主分类号 | H01L29/788(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/788(2006.01)I;H01L29/49(2006.01)I;H01L29/51(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 专利有效期 | 非挥发性半导体存储单元、器件及制备方法 至非挥发性半导体存储单元、器件及制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种非挥发性半导体存储单元、器件及制备方法。该存储单元包括：衬底；源区和漏区，形成于衬底上部沟道的两侧，非挥发性半导体存储单元周边；栅堆栈，形成于衬底上部沟道之上，与源区和漏区相连通，其中栅堆栈包括作为存储层的金属性薄膜浮栅。本发明的存储单元及器件中，金属性薄膜浮栅代替现有技术中的多晶硅浮栅，从而能够增加电荷的存储能力，有利于存储单元的数据保持特性。 |
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