| 专利名称 | 氮化镓基半导体激光器外延结构及其制作方法 | 申请号 | CN201110208967.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102299482A | 公开（授权）日 | 2011.12.28 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 曾畅;张书明;刘建平;王辉;冯美鑫;李增成;王怀兵;杨辉 | 主分类号 | H01S5/22(2006.01)I | IPC主分类号 | H01S5/22(2006.01)I | 专利有效期 | 氮化镓基半导体激光器外延结构及其制作方法 至氮化镓基半导体激光器外延结构及其制作方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种新型氮化镓基半导体激光器外延结构及其制作方法，本发明采用Al组分渐变的p-AlGaN作为光学限制层，通过极化掺杂的原理,实现三维空穴气。利用本发明可以提高受主Mg杂质的活化效率，降低器件电压，同时有效降低激光器内损耗。 |
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