| 专利名称 | 半导体结构及其制作方法 | 申请号 | CN201010215163.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102299154A | 公开（授权）日 | 2011.12.28 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 朱慧珑;梁擎擎;骆志炯;尹海洲 | 主分类号 | H01L27/092(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L27/092(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I;H01L29/49(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体结构及其制作方法 至半导体结构及其制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本申请公开了一种半导体结构及其制造方法。本发明的半导体结构包括：半导体衬底；沟道区，形成于所述半导体衬底上；栅堆叠，形成于所述沟道区上；侧墙，形成于所述栅堆叠的外侧；源/漏区，形成于所述沟道区的两侧；所述栅堆叠包括：栅介质层，形成于所述沟道区上；导电层，形成在所述栅介质层上；其中，对于nMOSFET，所述导电层具有压应力，以给所述沟道区提供拉应力；对于pMOSFET，所述导电层具有拉应力，以给所述沟道区提供压应力。本发明的实施例适用于半导体制造的沟道工程应用。 |
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